Transistor bipolaire MJD200G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
• Tension collecteur-base maximum: 40 V
• Tension émetteur-base maximum: 8 V
• Courant collecteur continu maximum: 5 A
• Dissipation de puissance maximum: 12.5 W
• Gain de courant (h_fe): 45 à 180
• Fréquence de transition minimum: 65 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-252
• Electrically Similar to the Popular MJE200 transistor
• Le MJD200G est la version sans plomb du transistor MJD200

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJD200G est le MJD210G.Vous pouvez remplacer le transistor MJD200G par MJD200.