Transistor bipolaire MJD210G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
• Tension collecteur-base maximum: -40 V
• Tension émetteur-base maximum: -8 V
• Courant collecteur continu maximum: -5 A
• Dissipation de puissance maximum: 12.5 W
• Gain de courant (h_fe): 45 à 180
• Fréquence de transition minimum: 65 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-252
• Electrically Similar to the Popular MJE210 transistor
• Le MJD210G est la version sans plomb du transistor MJD210

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJD210G est le MJD200G.Vous pouvez remplacer le transistor MJD210G par MJD210.