Transistor bipolaire MJD200
Caractéristiques électriques du transistor MJD200
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
- Tension collecteur-base maximum: 40 V
- Tension émetteur-base maximum: 8 V
- Courant collecteur continu maximum: 5 A
- Dissipation de puissance maximum: 12.5 W
- Gain de courant (hfe): 45 à 180
- Fréquence de transition minimum: 65 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-252
- Electrically Similar to the Popular MJE200 transistor
Brochage du MJD200
Complémentaire du transistor MJD200
Substituts et équivalents pour le transistor MJD200
Version sans plomb
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