Transistor bipolaire MJD112-1G
Caractéristiques électriques du transistor MJD112-1G
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
- Tension collecteur-base maximum: 100 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 2 A
- Dissipation de puissance maximum: 20 W
- Gain de courant (hfe): 1000 à 12000
- Fréquence de transition minimum: 25 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-251
- Electrically Similar to the Popular TIP112 transistor
- Le MJD112-1G est la version sans plomb du transistor MJD112-1
Brochage du MJD112-1G
Marquage
Complémentaire du transistor MJD112-1G
Version SMD du transistor MJD112-1G
Substituts et équivalents pour le transistor MJD112-1G
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