Transistor bipolaire MJD117-1G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -2 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 12000
• Fréquence de transition minimum: 25 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-251
• Electrically Similar to the Popular TIP117 transistor
• Le MJD117-1G est la version sans plomb du transistor MJD117-1

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MJD117-1G est marqué "J117G".Le transistor NPN complémentaire du MJD117-1G est le MJD112-1G.Vous pouvez remplacer le transistor MJD117-1G par MJD117-1, MJD127-1 ou MJD127-1G.