Transistor bipolaire MJD122-1G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 12000
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-251
• Electrically Similar to the Popular TIP122 transistor
• Le MJD122-1G est la version sans plomb du transistor MJD122-1

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MJD122-1G est marqué "J122G".Le transistor PNP complémentaire du MJD122-1G est le MJD127-1G.Vous pouvez remplacer le transistor MJD122-1G par MJD122-1.