Transistor bipolaire KTB1151-Y

Caractéristiques électriques du transistor KTB1151-Y

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1151-K transistor

Brochage du KTB1151-Y

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTB1151-Y peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du KTB1151 est compris entre 160 à 400, celui du KTB1151-O entre 160 à 320.

Complémentaire du transistor KTB1151-Y

Le transistor NPN complémentaire du KTB1151-Y est le KTD1691-Y.

Version SMD du transistor KTB1151-Y

Le 2STF2360 (SOT-89), 2STN2360 (SOT-223) et BDP950 (SOT-223) est la version SMD du transistor KTB1151-Y.

Substituts et équivalents pour le transistor KTB1151-Y

Vous pouvez remplacer le transistor KTB1151-Y par 2SB1151, 2SB1151-K, KSB1151 ou KSB1151-G.
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