Transistor bipolaire 2SB1151

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -5 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 400
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1151 peut avoir un gain en courant continu de 100 à 400. Le gain en courant continu du 2SB1151-K est compris entre 200 à 400, celui du 2SB1151-L entre 160 à 320, celui du 2SB1151-M entre 100 à 200.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1151 peut n'être marqué que B1151.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1151 est le 2SD1691.Le BDP950 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB1151.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1151 par KSB1151.