Transistor bipolaire KSB1151
Caractéristiques électriques du transistor KSB1151
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
- Tension collecteur-base maximum: -60 V
- Tension émetteur-base maximum: -7 V
- Courant collecteur continu maximum: -5 A
- Dissipation de puissance maximum: 20 W
- Gain de courant (hfe): 100 à 400
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SB1151 transistor
Brochage du KSB1151
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KSB1151
Version SMD du transistor KSB1151
Substituts et équivalents pour le transistor KSB1151
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com