Transistor bipolaire KTB1151-O
Caractéristiques électriques du transistor KTB1151-O
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
- Tension collecteur-base maximum: -60 V
- Tension émetteur-base maximum: -7 V
- Courant collecteur continu maximum: -5 A
- Dissipation de puissance maximum: 20 W
- Gain de courant (hfe): 160 à 320
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SB1151-L transistor
Brochage du KTB1151-O
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KTB1151-O
Version SMD du transistor KTB1151-O
Substituts et équivalents pour le transistor KTB1151-O
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