Transistor bipolaire KTB1151-O

Caractéristiques électriques du transistor KTB1151-O

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 160 à 320
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1151-L transistor

Brochage du KTB1151-O

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTB1151-O peut avoir un gain en courant continu de 160 à 320. Le gain en courant continu du KTB1151 est compris entre 160 à 400, celui du KTB1151-Y entre 200 à 400.

Complémentaire du transistor KTB1151-O

Le transistor NPN complémentaire du KTB1151-O est le KTD1691-O.

Version SMD du transistor KTB1151-O

Le 2STF2360 (SOT-89), 2STN2360 (SOT-223), BDP950 (SOT-223) et STN951 (SOT-223) est la version SMD du transistor KTB1151-O.

Substituts et équivalents pour le transistor KTB1151-O

Vous pouvez remplacer le transistor KTB1151-O par 2SB1151, 2SB1151-L, KSB1151 ou KSB1151-Y.
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