Transistor bipolaire KTB1151

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -5 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 160 à 400
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SB1151 transistor

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor KTB1151 peut avoir un gain en courant continu de 160 à 400. Le gain en courant continu du KTB1151-O est compris entre 160 à 320, celui du KTB1151-Y entre 200 à 400.Le transistor NPN complémentaire du KTB1151 est le KTD1691.Le 2STF2360 (SOT-89), 2STN2360 (SOT-223) et BDP950 (SOT-223) est la version SMD du transistor KTB1151.Vous pouvez remplacer le transistor KTB1151 par 2SB1151 ou KSB1151.