Transistor bipolaire KSE13009H1

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 400 V
• Tension collecteur-base maximum: 700 V
• Tension émetteur-base maximum: 9 V
• Courant collecteur continu maximum: 12 A
• Dissipation de puissance maximum: 100 W
• Gain de courant (h_fe): 8 à 17
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor KSE13009H1 peut avoir un gain en courant continu de 8 à 17. Le gain en courant continu du KSE13009 est compris entre 8 à 40, celui du KSE13009H2 entre 15 à 28.Le transistor KSE13009H1 est marqué "E13009-1".Vous pouvez remplacer le transistor KSE13009H1 par FJP13009, FJP13009H1, MJE13009 ou MJE13009G.