Transistor bipolaire MJE13009G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 400 V
• Tension collecteur-base maximum: 700 V
• Tension émetteur-base maximum: 9 V
• Courant collecteur continu maximum: 12 A
• Dissipation de puissance maximum: 100 W
• Gain de courant (h_fe): 8 à 40
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220
• Le MJE13009G est la version sans plomb du transistor MJE13009

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MJE13009G par FJP13009, KSE13009 ou MJE13009.