Transistor bipolaire MJE13009

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 400 V
• Tension collecteur-base maximum: 700 V
• Tension émetteur-base maximum: 9 V
• Courant collecteur continu maximum: 12 A
• Dissipation de puissance maximum: 100 W
• Gain de courant (h_fe): 8 à 40
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MJE13009 par FJP13009, KSE13009 ou MJE13009G.Le transistor MJE13009G est la version sans plomb du MJE13009.