Transistor bipolaire KSD1691-O

Caractéristiques électriques du transistor KSD1691-O

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1691-M transistor

Brochage du KSD1691-O

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD1691-O peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du KSD1691 est compris entre 100 à 400, celui du KSD1691-G entre 200 à 400, celui du KSD1691-Y entre 160 à 320.

Complémentaire du transistor KSD1691-O

Le transistor PNP complémentaire du KSD1691-O est le KSB1151-O.

Version SMD du transistor KSD1691-O

Le BDP949 (SOT-223) est la version SMD du transistor KSD1691-O.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD1691-O

Vous pouvez remplacer le transistor KSD1691-O par 2SD1691 ou 2SD1691-M.
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