Transistor bipolaire KSB1151-O

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -5 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 200
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SB1151-M transistor

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor KSB1151-O peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du KSB1151 est compris entre 100 à 400, celui du KSB1151-G entre 200 à 400, celui du KSB1151-Y entre 160 à 320.Le transistor NPN complémentaire du KSB1151-O est le KSD1691-O.Le BDP950 (SOT-223) est la version SMD du transistor KSB1151-O.Vous pouvez remplacer le transistor KSB1151-O par 2SB1151 ou 2SB1151-M.