Transistor bipolaire BDT42

Caractéristiques électriques du transistor BDT42

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -40 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 65 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 75
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BDT42

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDT42

Le transistor NPN complémentaire du BDT42 est le BDT41.

Substituts et équivalents pour le transistor BDT42

Vous pouvez remplacer le transistor BDT42 par BD706, BD708, BD710, BD906, BD908, BD910, BDT42A, BDT42AF, BDT42B, BDT42BF, BDT42F, TIP42, TIP42A, TIP42AG, TIP42B, TIP42BG ou TIP42G.
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