Transistor bipolaire BDT30AF

Caractéristiques électriques du transistor BDT30AF

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 19 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 75
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT30A transistor

Brochage du BDT30AF

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDT30AF

Le transistor NPN complémentaire du BDT30AF est le BDT29AF.

Substituts et équivalents pour le transistor BDT30AF

Vous pouvez remplacer le transistor BDT30AF par 2N6475, 2N6476, BD708, BD710, BD712, BD908, BD910, BD912, BDT30BF, BDT30CF, BDT42A, BDT42AF, BDT42B, BDT42BF, BDT42C, BDT42CF, D44C10, D44C7, D45C10, D45C7, MJE5170, TIP30A, TIP30AG, TIP30B, TIP30BG, TIP30C, TIP30CG, TIP42A, TIP42AG, TIP42B, TIP42BG, TIP42C, TIP42CF ou TIP42CG.
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