Transistor bipolaire BDT30CF

Caractéristiques électriques du transistor BDT30CF

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -140 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 19 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 75
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT30C transistor

Brochage du BDT30CF

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDT30CF

Le transistor NPN complémentaire du BDT30CF est le BDT29CF.

Substituts et équivalents pour le transistor BDT30CF

Vous pouvez remplacer le transistor BDT30CF par 2N6475, 2N6476, BD712, BD912, BDT42C, BDT42CF, MJE5170, MJE5171, MJE5172, NTE292, TIP30C, TIP30CG, TIP42C, TIP42CF ou TIP42CG.
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