Transistor bipolaire BD517

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 4 V
• Courant collecteur continu maximum: 2 A
• Dissipation de puissance maximum: 8 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 350
• Fréquence de transition minimum: 160 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-202

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BD517 est le BD518.Vous pouvez remplacer le transistor BD517 par BD519, BD525, BD527, BD529 ou NTE188.