Transistor bipolaire BD227

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
• Tension collecteur-base maximum: -45 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 12.5 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 250
• Fréquence de transition minimum: 50 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BD227 est le BD226.Le BCP51 (SOT-223) est la version SMD du transistor BD227.Vous pouvez remplacer le transistor BD227 par BD132, BD136, BD136G, BD138, BD138G, BD140, BD140G, BD166, BD168, BD170, BD176, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD229, BD231, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD238, BD238G, BD376, BD378, BD380, BD786, BD788, BD788G, BD790, MJE235, MJE252, MJE711 ou MJE712.