Transistor bipolaire BD180G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -3 A
• Dissipation de puissance maximum: 30 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 250
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BD180G est le BD179G.Le BDP952 (SOT-223) est la version SMD du transistor BD180G.Vous pouvez remplacer le transistor BD180G par BD180, BD790, BD792, MJE252 ou MJE254.