Transistor bipolaire BD226

Caractéristiques électriques du transistor BD226

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
  • Tension collecteur-base maximum: 45 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 12.5 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 250
  • Fréquence de transition minimum: 125 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du BD226

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BD226

Le transistor PNP complémentaire du BD226 est le BD227.

Version SMD du transistor BD226

Le BCP54 (SOT-223) est la version SMD du transistor BD226.

Substituts et équivalents pour le transistor BD226

Vous pouvez remplacer le transistor BD226 par BD131, BD135, BD135G, BD137, BD137G, BD139, BD139G, BD165, BD167, BD169, BD175, BD177, BD179, BD187, BD189, BD228, BD230, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD375, BD377, BD379, BD785, BD787, BD787G, BD789, MJE225, MJE242, MJE721 ou MJE722.
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