Transistor bipolaire BD179G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 80 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 3 A
• Dissipation de puissance maximum: 30 W
• Gain de courant (h_fe): 63 à 160
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BD179G est le BD180G.Le BDP951 (SOT-223) est la version SMD du transistor BD179G.Vous pouvez remplacer le transistor BD179G par BD179, BD179-10, BD789, BD791, KSE182, MJE182, MJE182G, MJE240, MJE241, MJE242, MJE243, MJE243G ou MJE244.