Transistor bipolaire BCP55

Caractéristiques électriques du transistor BCP55

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1.5 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 250
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-223

Brochage du BCP55

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor BCP55 est marqué "BCP55".

Complémentaire du transistor BCP55

Le transistor PNP complémentaire du BCP55 est le BCP52.

Substituts et équivalents pour le transistor BCP55

Vous pouvez remplacer le transistor BCP55 par BCP56, BDP951, BDP953 ou BDP955.
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