Transistor bipolaire BC859B

Caractéristiques électriques du transistor BC859B

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.25 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 450
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Figure de bruit maximum: 1 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du BC859B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BC859B peut avoir un gain en courant continu de 200 à 450. Le gain en courant continu du BC859 est compris entre 110 à 800, celui du BC859A entre 110 à 220, celui du BC859C entre 420 à 800.

Complémentaire du transistor BC859B

Le transistor NPN complémentaire du BC859B est le BC849B.

Substituts et équivalents pour le transistor BC859B

Vous pouvez remplacer le transistor BC859B par 2SA1037, 2SA1366, 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, 2SA812, 2SB709A, 2SB709A-Q, 2SB709A-R, 2SB709A-S, 2STR2160, 2STR2230, BC807, BC857, BC857B, BC858, BC858B, BC860, BC860B, BCW67, BCW68, BCW72, BCW72LT1, BCW72LT1G, BCX17, FMMT549A, FMMTA55, KSA812, KST55, MMBT200, MMBT4354, MMBTA55 ou SMBTA55.
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