Caractéristiques électriques du transistor 2SB709A-R
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
Tension collecteur-base maximum: -45 V
Tension émetteur-base maximum: -7 V
Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
Gain de courant (hfe): 160 à 460
Fréquence de transition minimum: 80 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: SOT-23
Brochage du 2SB709A-R
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB709A-R peut avoir un gain en courant continu de 160 à 460. Le gain en courant continu du 2SB709A est compris entre 160 à 460, celui du 2SB709A-Q entre 160 à 460, celui du 2SB709A-S entre 160 à 460.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB709A-R peut n'être marqué que B709A-R.
Complémentaire du transistor 2SB709A-R
Le transistor NPN complémentaire du 2SB709A-R est le 2SD601A-R.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB709A-R