Transistor bipolaire BC859AW

Caractéristiques électriques du transistor BC859AW

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
  • Gain de courant (hfe): 110 à 220
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Figure de bruit maximum: 1 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-323

Brochage du BC859AW

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BC859AW peut avoir un gain en courant continu de 110 à 220. Le gain en courant continu du BC859BW est compris entre 200 à 450, celui du BC859CW entre 420 à 800, celui du BC859W entre 110 à 800.

Complémentaire du transistor BC859AW

Le transistor NPN complémentaire du BC859AW est le BC849AW.

Substituts et équivalents pour le transistor BC859AW

Vous pouvez remplacer le transistor BC859AW par 2SA1586, 2SA1588, BC807-16W, BC807W, BC857AW, BC857W, BC858AW, BC858W, BC860AW, BC860W, FJX1182, FJX2907A, FJX3906, FJX733, KTN2907AU, KTN2907U, MMBT3906WT1, MMBT3906WT1G, MMST2907A, MMST3906, MMST4403, PMST3906 ou PMST4403.
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