Transistor bipolaire MMBT3906WT1G

Caractéristiques électriques du transistor MMBT3906WT1G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -40 V
  • Tension collecteur-base maximum: -40 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.15 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 300
  • Fréquence de transition minimum: 250 MHz
  • Figure de bruit maximum: 5 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-323
  • Le MMBT3906WT1G est la version sans plomb du transistor MMBT3906WT1

Brochage du MMBT3906WT1G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Substituts et équivalents pour le transistor MMBT3906WT1G

Vous pouvez remplacer le transistor MMBT3906WT1G par BC807W, FJX2907A, FJX3906, KTN2907AU, KTN2907U, MMBT3906WT1, MMST2907A, MMST3906, MMST4403, PMST3906 ou PMST4403.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com