Transistor bipolaire FJX1182
Caractéristiques électriques du transistor FJX1182
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
- Tension collecteur-base maximum: -35 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.15 W
- Gain de courant (hfe): 70 à 240
- Fréquence de transition minimum: 200 MHz
- Figure de bruit maximum: 2.8 dB
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: SOT-323
- Electrically Similar to the Popular 2SA1182 transistor
Brochage du FJX1182
Classification de hFE
Substituts et équivalents pour le transistor FJX1182
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