Transistor bipolaire BC558B

Caractéristiques électriques du transistor BC558B

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 450
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Figure de bruit maximum: 2 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du BC558B

Le BC558B est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, le collecteur, la base et l'émetteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BC558B peut avoir un gain en courant continu de 200 à 450. Le gain en courant continu du BC558 est compris entre 110 à 800, celui du BC558A entre 110 à 220, celui du BC558C entre 420 à 800.

Complémentaire du transistor BC558B

Le transistor NPN complémentaire du BC558B est le BC548B.

Version SMD du transistor BC558B

Le BC858 (SOT-23), BC858B (SOT-23), BC858BW (SOT-323), BC858W (SOT-323), BC859 (SOT-23), BC859B (SOT-23), BC859BW (SOT-323) et BC859W (SOT-323) est la version SMD du transistor BC558B.

Substituts et équivalents pour le transistor BC558B

Vous pouvez remplacer le transistor BC558B par BC251, BC251B, BC307, BC307B, BC327, BC415, BC415B, BC416, BC416B, BC446, BC446B, BC557, BC557B, BC559, BC559B, BC560 ou BC560B.
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