Transistor bipolaire BC859

Caractéristiques électriques du transistor BC859

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.25 W
  • Gain de courant (hfe): 110 à 800
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Figure de bruit maximum: 1 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du BC859

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BC859 peut avoir un gain en courant continu de 110 à 800. Le gain en courant continu du BC859A est compris entre 110 à 220, celui du BC859B entre 200 à 450, celui du BC859C entre 420 à 800.

Complémentaire du transistor BC859

Le transistor NPN complémentaire du BC859 est le BC849.

Substituts et équivalents pour le transistor BC859

Vous pouvez remplacer le transistor BC859 par 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, BC857, BC858, BC860, FMMTA55, KST55, MMBTA55 ou SMBTA55.
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