Transistor bipolaire 2SD895

Caractéristiques électriques du transistor 2SD895

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 85 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 60 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 15 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -45 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P

Brochage du 2SD895

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD895 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 200. Le gain en courant continu du 2SD895-D est compris entre 60 à 120, celui du 2SD895-E entre 100 à 200.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD895 peut n'être marqué que D895.

Complémentaire du transistor 2SD895

Le transistor PNP complémentaire du 2SD895 est le 2SB775.

Version SMD du transistor 2SD895

Le BDP953 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD895.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD895

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD895 par 2SC2563, 2SC2578, 2SC2579, 2SC2580, 2SC2581, 2SC2706, 2SC4278, 2SC4652, 2SD1046, 2SD1047, 2SD1288, 2SD1289, 2SD1717, 2SD2052, 2SD2053, 2SD731, BD245C, BD249C, BDV95, KTD1047, KTD1047B ou TIP35CA.
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