Transistor bipolaire KTD1047B
Caractéristiques électriques du transistor KTD1047B
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
- Tension collecteur-base maximum: 160 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 12 A
- Dissipation de puissance maximum: 100 W
- Gain de courant (hfe): 60 à 200
- Fréquence de transition minimum: 15 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-3P
- Electrically Similar to the Popular 2SD1047 transistor
Brochage du KTD1047B
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KTD1047B
Substituts et équivalents pour le transistor KTD1047B
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