Transistor bipolaire KTD1047B

Caractéristiques électriques du transistor KTD1047B

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
  • Tension collecteur-base maximum: 160 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 12 A
  • Dissipation de puissance maximum: 100 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 15 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1047 transistor

Brochage du KTD1047B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTD1047B peut avoir un gain en courant continu de 60 à 200. Le gain en courant continu du KTD1047B-O est compris entre 60 à 120, celui du KTD1047B-Y entre 100 à 200.

Complémentaire du transistor KTD1047B

Le transistor PNP complémentaire du KTD1047B est le KTB817B.

Substituts et équivalents pour le transistor KTD1047B

Vous pouvez remplacer le transistor KTD1047B par 2SD1047, 2SD1717, 2SD1718, KTD1047, MJW3281A ou MJW3281AG.
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