Transistor bipolaire 2SD877

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 110 V
• Tension émetteur-base maximum: 7 V
• Courant collecteur continu maximum: 3 A
• Dissipation de puissance maximum: 25 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 300
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-66

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SD877 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 300. Le gain en courant continu du 2SD877-GR est compris entre 150 à 300, celui du 2SD877-O entre 60 à 120, celui du 2SD877-Y entre 100 à 200.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD877 peut n'être marqué que D877.Le transistor PNP complémentaire du 2SD877 est le 2SB502A.Le BDP953 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD877.Vous pouvez remplacer le transistor 2SD877 par 2SC1113.