Transistor bipolaire 2SB502A

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -110 V
• Tension émetteur-base maximum: -10 V
• Courant collecteur continu maximum: -3 A
• Dissipation de puissance maximum: 25 W
• Gain de courant (h_fe): 30 à 280
• Fréquence de transition minimum: 5 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-66

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB502A peut avoir un gain en courant continu de 30 à 280. Le gain en courant continu du 2SB502A-O est compris entre 50 à 140, celui du 2SB502A-R entre 30 à 70, celui du 2SB502A-Y entre 100 à 280.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB502A peut n'être marqué que B502A.Le transistor NPN complémentaire du 2SB502A est le 2SD877.