Transistor bipolaire 2SD819

Caractéristiques électriques du transistor 2SD819

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 600 V
  • Tension collecteur-base maximum: 1500 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 50 W
  • Gain de courant (hfe): 8
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2SD819

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD819 peut n'être marqué que D819.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD819

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD819 par 2SD820, 2SD821, 2SD822, 2SD869, 2SD870, 2SD871, BUX48B, BUX48C, MJ12004, MJ12005, MJ8502, MJ8503, MJ8504 ou MJ8505.
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