Transistor bipolaire 2SD552-DN

Caractéristiques électriques du transistor 2SD552-DN

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 180 V
  • Tension collecteur-base maximum: 220 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 150 W
  • Gain de courant (hfe): 25 à 50
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2SD552-DN

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD552-DN peut avoir un gain en courant continu de 25 à 50. Le gain en courant continu du 2SD552 est compris entre 25 à 80, celui du 2SD552-R entre 40 à 80.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD552-DN peut n'être marqué que D552-DN.

Complémentaire du transistor 2SD552-DN

Le transistor PNP complémentaire du 2SD552-DN est le 2SB552-BN.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD552-DN

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD552-DN par 2N6546, 2N6676, 2N6677, MJ15022, MJ15022G, MJ15024, MJ15024G, MJ21194, MJ21194G, MJ21196 ou MJ21196G.
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