Transistor bipolaire 2SB552-BN

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -180 V
• Tension collecteur-base maximum: -220 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -15 A
• Dissipation de puissance maximum: 150 W
• Gain de courant (h_fe): 25 à 50
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB552-BN peut avoir un gain en courant continu de 25 à 50. Le gain en courant continu du 2SB552 est compris entre 25 à 80, celui du 2SB552-R entre 40 à 80.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB552-BN peut n'être marqué que B552-BN.Le transistor NPN complémentaire du 2SB552-BN est le 2SD552-DN.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB552-BN par MJ15023, MJ15023G, MJ15025, MJ15025G, MJ21193, MJ21193G, MJ21195 ou MJ21195G.