Transistor bipolaire MJ15022G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 200 V
• Tension collecteur-base maximum: 350 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 16 A
• Dissipation de puissance maximum: 250 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 60
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le MJ15022G est la version sans plomb du transistor MJ15022

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJ15022G est le MJ15023G.Vous pouvez remplacer le transistor MJ15022G par MJ15022, MJ15024 ou MJ15024G.