Transistor bipolaire 2SD1681-S
Caractéristiques électriques du transistor 2SD1681-S
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 18 V
- Tension collecteur-base maximum: 20 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 1.2 A
- Dissipation de puissance maximum: 10 W
- Gain de courant (hfe): 140 à 280
- Fréquence de transition minimum: 150 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +125 °C
- Boîtier: TO-126
Brochage du 2SD1681-S
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SD1681-S
Version SMD du transistor 2SD1681-S
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1681-S
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