Caractéristiques électriques du transistor 2SC536-E
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
Tension collecteur-base maximum: 40 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 0.1 A
Dissipation de puissance maximum: 0.4 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 100 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du 2SC536-E
Le 2SC536-E est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SC536-E peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SC536 est compris entre 60 à 560, celui du 2SC536-D entre 60 à 120, celui du 2SC536-F entre 160 à 320, celui du 2SC536-G entre 280 à 560, celui du 2SC536-H entre 480 à 960.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SC536-E peut n'être marqué que C536-E.
Complémentaire du transistor 2SC536-E
Le transistor PNP complémentaire du 2SC536-E est le 2SA608-E.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SC536-E
