Transistor bipolaire KTC3210O

Caractéristiques électriques du transistor KTC3210O

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
  • Tension collecteur-base maximum: 30 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 120 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du KTC3210O

Le KTC3210O est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTC3210O peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du KTC3210 est compris entre 100 à 320, celui du KTC3210Y entre 160 à 320.

Complémentaire du transistor KTC3210O

Le transistor PNP complémentaire du KTC3210O est le KTA1282O.

Version SMD du transistor KTC3210O

Le KTC4375 (SOT-89) et KTC4375O (SOT-89) est la version SMD du transistor KTC3210O.

Substituts et équivalents pour le transistor KTC3210O

Vous pouvez remplacer le transistor KTC3210O par 2SC2328A, 2SC2328A-O, 2SC2655, 2SC3205, 2SC3205-O, 2SD1207, 2SD1207-R, 2SD1347, 2SD1347R, 2SD1835, 2SD1835-R, KSC2328A, KSC2328A-O, KTC3205, KTC3205O ou KTC3209.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com