Transistor bipolaire KTC1008
Caractéristiques électriques du transistor KTC1008
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
- Tension collecteur-base maximum: 80 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 1 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
- Gain de courant (hfe): 100 à 320
- Fréquence de transition minimum: 150 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Electrically Similar to the Popular 2SC1008 transistor
Brochage du KTC1008
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KTC1008
Version SMD du transistor KTC1008
Transistor KTC1008 en boîtier TO-92
Substituts et équivalents pour le transistor KTC1008
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