Transistor bipolaire 2SC5099-P

Caractéristiques électriques du transistor 2SC5099-P

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 120 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 60 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 140
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3PF

Brochage du 2SC5099-P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SC5099-P peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du 2SC5099 est compris entre 50 à 180, celui du 2SC5099-O entre 50 à 100, celui du 2SC5099-Y entre 90 à 180.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SC5099-P peut n'être marqué que C5099-P.

Complémentaire du transistor 2SC5099-P

Le transistor PNP complémentaire du 2SC5099-P est le 2SA1907-P.

Version SMD du transistor 2SC5099-P

Le BDP953 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SC5099-P.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SC5099-P

Vous pouvez remplacer le transistor 2SC5099-P par 2SC2681, 2SC4886, 2SC4886-P, 2SC5100, 2SC5100-P, 2SC5101, 2SC5101-P, 2SD1486, 2SD1487, 2SD1488, 2SD1705, 2SD1706, 2SD1713, 2SD1714, 2SD1715, 2SD1716, FJAF4310 ou FJAF4310O.
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