Transistor bipolaire 2SD1705

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1705

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 130 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 70 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 260
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3PF

Brochage du 2SD1705

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1705 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 260. Le gain en courant continu du 2SD1705-P est compris entre 130 à 260, celui du 2SD1705-Q entre 90 à 180.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1705 peut n'être marqué que D1705.

Complémentaire du transistor 2SD1705

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1705 est le 2SB1154.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1705

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1705 par 2SD1706.
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