Caractéristiques électriques du transistor 2SB560-E
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
Tension collecteur-base maximum: -100 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -0.7 A
Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 100 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92MOD
Brochage du 2SB560-E
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB560-E peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB560 est compris entre 60 à 560, celui du 2SB560-D entre 60 à 120, celui du 2SB560-F entre 160 à 320, celui du 2SB560-G entre 280 à 560.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB560-E peut n'être marqué que B560-E.
Complémentaire du transistor 2SB560-E
Le transistor NPN complémentaire du 2SB560-E est le 2SD438-E.