Transistor bipolaire 2SD1006-HM

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.7 A
• Dissipation de puissance maximum: 2 W
• Gain de courant (h_fe): 90 à 180
• Fréquence de transition minimum: 90 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: SOT-89

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SD1006-HM peut avoir un gain en courant continu de 90 à 180. Le gain en courant continu du 2SD1006 est compris entre 90 à 400, celui du 2SD1006-HK entre 200 à 400, celui du 2SD1006-HL entre 135 à 270.Le transistor 2SD1006-HM est marqué "HM".Le transistor NPN complémentaire du 2SD1006-HM est le 2SB805-KM.Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1006-HM par 2SA1201, 2SB805, 2SB805-KM, 2SB806, 2SB806-KR, 2SD1007, 2SD1007-HR ou KTA1661.