Transistor bipolaire 2SB559-D

Caractéristiques électriques du transistor 2SB559-D

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -18 V
  • Tension collecteur-base maximum: -20 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1.2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 8 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB559-D

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB559-D peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB559 est compris entre 60 à 320, celui du 2SB559-E entre 100 à 200, celui du 2SB559-F entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB559-D peut n'être marqué que B559-D.

Complémentaire du transistor 2SB559-D

Le transistor NPN complémentaire du 2SB559-D est le 2SD439-D.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB559-D

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB559-D par 2SA715, 2SA715-B, 2SA738, 2SB743, 2SB743-R, 2SB772, 2SB772R, BD186, BD434, BD434G, BD436, BD436G, KSB772, KSB772-R, KSE210, KSH772, KSH772-R, MJE210, MJE210G ou MJE370.
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