Transistor bipolaire MJ15025G

Caractéristiques électriques du transistor MJ15025G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -250 V
  • Tension collecteur-base maximum: -400 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -16 A
  • Dissipation de puissance maximum: 250 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 60
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3
  • Le MJ15025G est la version sans plomb du transistor MJ15025

Brochage du MJ15025G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MJ15025G

Le transistor NPN complémentaire du MJ15025G est le MJ15024G.

Substituts et équivalents pour le transistor MJ15025G

Vous pouvez remplacer le transistor MJ15025G par MJ15025.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com